| 摘要 |
<p>In einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats (2) ist ein aktives Gebiet (10) ausgebildet, in dem ein Hauptstrom fließt und ein IGBT (11) angeordnet ist. Ein Abschlussstrukturabschnitt (20), der als ein Gebiet zur Verringerung des elektrischen Felds dient, ist seitlich in Bezug auf das aktive Gebiet (10) angeordnet. In dem Abschlussstrukturabschnitt (20) sind ein Gebiet (26) einer porösen Oxidlage, ein p-Schutzringgebiet (21) und ein n+-Kanalsperrengebiet (22) ausgebildet. Mehrere erdfreie Elektroden (27a) sind in der Weise ausgebildet, dass sie die Oberfläche des Gebiets (26) einer porösen Oxidlage berühren. Weitere mehrere erdfreie Elektroden (27b) sind in der Weise ausgebildet, dass sie eine erste Isolierlage (30) berühren.</p> |
