一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法

摘要

本发明公开了一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法。该探测器包括：衬底；缓冲层；n-i-p-i-n单元，其包括缓冲层上依次生长的下n型掺杂层、下i型有源层、p型掺杂层、上i型有源层和上n型掺杂层；上台面，其是通过刻蚀上n型掺杂层、上i型有源层、p型掺杂层两侧形成的台面；下台面，其是通过刻蚀上台面下方两侧的p型掺杂层形成；n型欧姆接触金属层，其生长在上n型掺杂层表面，以及下台面一侧的下n型掺杂层上表面；p型欧姆接触金属层，其生长在上台面一侧的p型掺杂层上表面；加厚金属层，其生长在n型欧姆接触金属层和p型欧姆接触金属层上表面，其尺寸大于其下方的欧姆接触金属层的尺寸；二氧化硅层。

主权项

一种AlGaN基双色日盲紫外探测器，其包括： 衬底； 缓冲层，其生长在衬底上； n‑i‑p‑i‑n单元，其包括缓冲层上依次生长的下n型掺杂层、下i型有源层、p型掺杂层、上i型有源层和上n型掺杂层； 上台面，其是通过刻蚀上n型掺杂层、上i型有源层、p型掺杂层两侧形成的台面，其刻蚀深度到达p型掺杂层内； 下台面，其是通过刻蚀上台面下方两侧的p型掺杂层形成的，其刻蚀深度到达下n型掺杂层内； n型欧姆接触金属层，其生长在上n型掺杂层表面，以及下台面一侧的下n型掺杂层上表面； p型欧姆接触金属层，其生长在上台面一侧的p型掺杂层上表面； 加厚金属层，其生长在n型欧姆接触金属层和p型欧姆接触金属层上表面，其尺寸大于其下方的欧姆接触金属层的尺寸； 二氧化硅层，其生长在露出的上n型掺杂层、上i型有源层、p型掺杂层、下i型有源层、下n型掺杂层、n型欧姆接触金属层、p型欧姆接触金属层的表面以及两侧面，还生长在加厚金属层的两侧面。