| 发明名称 | 一种改善浅沟槽隔离制程中残留物缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种改善浅沟槽隔离制程中残留物缺陷的方法，包括下列步骤：在半导体基底上形成浅沟槽；蚀刻一定量的氮化硅和二氧化硅层；在蚀刻过程中对所述浅沟槽结构进行超声波清洗；使用去离子水清洗所述浅沟槽结构；对所述浅沟槽结构进行干燥处理。本发明提出的改善浅沟槽隔离制程中残留物缺陷的方法，能够减少制程中残留物缺陷的形成，提升良率。 | ||
| 申请公布号 | CN102332424B | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
| 申请号 | CN201110328063.6 | 申请日期 | 2011.10.25 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 徐友峰 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种改善浅沟槽隔离制程中残留物缺陷的方法，其特征在于，包括下列步骤：在半导体基底上形成浅沟槽，所述半导体基底上形成有氮化硅和二氧化硅层，所述氮化硅位于所述二氧化硅层的上面，所述浅沟槽贯穿所述氮化硅和二氧化硅层并延伸至所述半导体基底中；蚀刻一定量的氮化硅和二氧化硅层的侧壁；在蚀刻过程中对所述浅沟槽结构进行超声波清洗；使用去离子水清洗所述浅沟槽结构；对所述浅沟槽结构进行干燥处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||