| 发明名称 | 采用SiGeC缓冲层在Si衬底上生长GaN的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种采用SiGeC缓冲层在Si衬底上生长GaN的方法，涉及以衬底为特征的外延层生长方法技术领域。包括以下步骤：1）在Si衬底上生长SiGeC缓冲层；2）在SiGeC缓冲层上生长GaN层。所述方法在Si衬底上外延生长GaN材料时，能改善GaN材料的应力状态，降低位错密度，提高晶体质量；同时增大GaN材料的生长窗口，使外延生长更容易，进而减低工艺难度，改善器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103646858A | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
| 申请号 | CN201310635523.9 | 申请日期 | 2013.12.03 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 发明人 | 刘波;冯志红;蔡树军 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人 | 米文智 |
| 主权项 | 一种采用SiGeC缓冲层在Si衬底上生长GaN的方法，其特征在于包括以下步骤：1）在Si衬底（1）上生长SiGeC缓冲层；2）在SiGeC缓冲层上生长GaN层（3）。 | ||
| 地址 | 050051 河北省石家庄市合作路113号 | ||