发明名称 P型晶体硅双面电池的制备方法
摘要 本发明公布了一种P型晶体硅双面电池的制备方法,本发明通过制绒和化学清洗、形成PN结、双面沉积膜、制备电池的正负极、烧结等步骤制备出P型晶体硅双面电池。本发明相较于以往的技术而言,只需要一次掺杂,而且不需要开膜等步骤,使得制备过程更加简单,避免了原有的多次高温掺杂、制作掩膜和开膜等过程,这样简化了制备步骤,节约了制备成本;采用本发明的技术方案制备出的双面电池可以充分利用太阳的光在地面的散射光,提高太阳光的利用率,提高了电池的发电量。
申请公布号 CN103646991A 申请公布日期 2014.03.19
申请号 CN201310612548.7 申请日期 2013.11.28
申请人 奥特斯维能源(太仓)有限公司 发明人 孙海平;高艳涛;杨灼坚;邢国强
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人 刘燕娇
主权项 一种P型晶体硅双面电池的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(a) 对P型单晶体硅半导体衬底制绒并进行化学清洗:选择P型硅片,对选择的P型硅片在碱液下进行表面绒面化,然后在酸性条件下进行化学清洗,除去表面杂质;(b)形成PN结,得到P型硅片前表面的N+结构:在P型硅片衬底的前表面进行磷扩散,形成PN结,或者在P型硅片衬底的前表面进行离子注入磷源,通过退火形成PN结,从而得到前表面的N+结构;(c)双面沉积减反射膜:在PN结一侧表面沉积SiNx或SiO2或SiO2/SiNx减反射膜,在PN结另一侧表面沉积Al2O3/SiNx 或SiO2/SiNx或Al2O3/ SiO2/SiNx减反射膜;(d)制备电池的正极和负极:采用印刷技术在电池的正面和背面局部区域分别印刷含银浆料和含铝浆料而形成电池的负极和正极;(e)烧结:在烧结炉中进行烧结,背面含铝浆料刺穿背面的减反射膜形成P+背面场,形成完整的电池片N+PP+结构。
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