PIN型同位素核电池

摘要

本发明公开了一种PIN型同位素核电池，其包括放射性同位素源层1、SiO2钝化层2、SiO2致密绝缘层3、p型欧姆接触电极4、p型SiC外延层5、n型SiC外延层6、n型SiC衬底7和n型欧姆接触电极8，其特征在于：p型SiC外延层5的掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3，n型SiC衬底7的掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3，n型SiC外延层6是通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm-2的铌离子形成掺杂浓度为1×1013～5×1014cm-3。其减少本征层的载流子浓度，增大耗尽区宽度，提高产生的电子空穴对的收集率，进而提高器件的开路电压和能量转换效率。

主权项

一种PIN型同位素核电池，自上而下依次包括放射性同位素源层(1)、SiO2钝化层(2)、SiO2致密绝缘层(3)、p型欧姆接触电极(4)、p型SiC外延层(5)、n型SiC外延层(6)、n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)，其特征在于：p型SiC外延层(5)的掺杂浓度为1×1019～5×1019cm‑3，n型SiC衬底(7)的掺杂浓度为1×1018～7×1018cm‑3，n型SiC外延层(6)的掺杂浓度为1×1013～5×1014cm‑3，且通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm‑2的铌离子形成。