发明名称 真空蒸镀源及使用该真空蒸镀源的真空蒸镀方法
摘要 本发明提供一种真空蒸镀源,包括内部盛放有蒸镀材料的坩埚,所述坩埚包括具有第一开口的坩埚主体和具有第二开口的坩埚上部,所述第二开口的直径小于第一开口;对所述蒸镀材料的表面通过热辐射的方式进行加热的上方加热器,所述上方加热器设置在所述坩埚上部的外侧并避开所述第二开口位置;用于反射所述上方加热器所产生的辐射热能的反射物,所述反射物设置在所述上方加热器的外侧并避开所述第二开口位置。本发明还提供使用该真空蒸镀源的真空蒸镀方法。本发明的真空蒸镀源和蒸镀方法可以提高真空镀膜过程中的镀膜稳定性。
申请公布号 CN103643206A 申请公布日期 2014.03.19
申请号 CN201310609659.2 申请日期 2013.11.27
申请人 光驰科技(上海)有限公司 发明人 岡田浩和;范宾
分类号 C23C14/26(2006.01)I 主分类号 C23C14/26(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 真空蒸镀源,其特征在于,包括:内部盛放有蒸镀材料的坩埚,所述坩埚包括具有第一开口的坩埚主体和具有第二开口的坩埚上部,所述第二开口的直径小于第一开口;对所述蒸镀材料的表面通过热辐射的方式进行加热的上方加热器,所述上方加热器设置在所述坩埚上部的外侧并避开所述第二开口位置;用于反射所述上方加热器所产生的辐射热能的反射物,所述反射物设置在所述上方加热器的外侧并避开所述第二开口位置。
地址 200444 上海市宝山区城银路267号
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