铝薄膜工艺晶须缺陷的监控方法

摘要

本发明公开了一种对铝薄膜工艺中晶须缺陷进行实时监控的方法，包括在铝薄膜工艺过程中，通过残气分析仪对进行铝薄膜工艺的反应腔室内的各残余气体进行实时分析处理，得到晶须监控参数，所述晶须监控参数为根据各残余气体中将引起晶须缺陷的特定残余气体的分压值所设定的指数；判断所述晶须监控参数是否大于等于阈值；以及若所述晶须监控参数大于等于所述阈值，停止所述薄膜工艺。

主权项

一种铝薄膜工艺中晶须缺陷的监控方法，其特征在于，包括以下步骤：在所述铝薄膜工艺过程中，通过残气分析仪对进行所述铝薄膜工艺的反应腔室内的各残余气体进行实时分析处理，得到晶须监控参数，所述晶须监控参数为根据所述各残余气体中将引起晶须缺陷的特定残余气体的分压值所设定的指数；判断所述晶须监控参数是否大于等于阈值；以及若所述晶须监控参数大于等于所述阈值，停止所述铝薄膜工艺。