离子注入角度监控方法

摘要

本发明公开了一种离子注入角度监控方法，包含提供一晶片；利用离子注入机按不同的注入角度注入预定能量、剂量的离子，并进行快速热退火处理；进行数据测量，建立电阻值—注入角度特征曲线，并确定监控参考角度，将该监控参考角度、预定能量、剂量的离子设为离子注入条件；定期在所述离子注入条件下进行离子注入，并测量相应的晶片电阻值；根据所测量的晶片电阻值与电阻值—注入角度特征曲线确定离子注入角度的准确性。本发明能够对离子注入过程中晶片的偏转角度进行准确的监控。

主权项

一种离子注入角度监控方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一晶片；在上述晶片中，利用离子注入机按不同的注入角度注入预定能量、剂量的离子，并进行快速热退火处理；在以每一注入角度进行离子注入和快速热退火处理之后，均进行数据测量，获得所述不同注入角度下的晶片电阻值，建立电阻值—注入角度特征曲线；根据所述电阻值—注入角度特征曲线确定监控参考角度，并将该监控参考角度、预定能量、剂量的离子设为离子注入条件；定期在所述离子注入条件下进行离子注入，并测量相应的晶片电阻值；以及根据所测量的晶片电阻值与电阻值—注入角度特征曲线确定离子注入角度的准确性。