发明名称 薄膜光电变换装置的制造方法
摘要 包括:第1工序,以使相邻的薄膜光电变换单元之间电串联连接的方式,在透光性绝缘基板上,依次形成第1电极层、光电变换层、以及第2电极层,其中,该光电变换层是依次层叠了第1导电类型半导体层、第2导电类型半导体层和第3导电类型半导体层;第2工序,形成从所述第2电极层的表面到达所述第1电极层的分离槽,从而进行单元分离为多个薄膜光电变换单元;以及第3工序,在所述第2工序之后对所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部进行氧化处理而使所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部改性为绝缘层。
申请公布号 CN102239571B 申请公布日期 2014.03.19
申请号 CN200980148258.3 申请日期 2009.11.20
申请人 三菱电机株式会社 发明人 时冈秀忠;山林弘也;折田泰
分类号 H01L31/0224(2006.01)I;H01L27/142(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/0224(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 金春实
主权项 一种薄膜光电变换装置的制造方法,其特征在于,包括:第1工序,以使相邻的薄膜光电变换单元之间电串联连接的方式,在透光性绝缘基板上,依次形成第1电极层、光电变换层、以及第2电极层,其中,该光电变换层是依次层叠了第1导电类型半导体层、第2导电类型半导体层和第3导电类型半导体层;第2工序,形成从所述第2电极层的表面到达所述第1电极层的分离槽,从而进行单元分离为多个薄膜光电变换单元;第3工序,在所述第2工序之后,去除所述分离槽的延伸方向上的所述薄膜光电变换单元的外周的侧壁部的一部分;第4工序,在所述第3工序之后,对所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部的整体进行氧化处理而将所有的所述薄膜光电变换单元中的所述分离槽的侧壁部的全周改性为绝缘层;第5工序,在所述第4工序之后,沿着所述薄膜光电变换装置的外周部,去除位于所述薄膜光电变换装置的外周部的所述薄膜光电变换单元的外周的侧壁部的一部分;以及第6工序,在所述第5工序之后,对位于所述光电变换层的外周部的所述薄膜光电变换单元的所述外周的侧壁部的整体进行氧化处理而将所有的所述薄膜光电变换单元中的所述光电变换层的侧壁部的全周改性为绝缘层。
地址 日本东京
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