光电二极管阵列、基准电压决定方法及推荐动作电压决定方法

摘要

本发明提供光电二极管阵列、基准电压决定方法及推荐动作电压决定方法。对光电二极管阵列施加反偏电压，该光电二极管阵列具备：以盖格模式动作的多个雪崩光电二极管；及相对于各雪崩光电二极管串联连接的降压电阻。使施加的反偏电压变化而测定电流，并将所测定的电流的变化中的拐点处的反偏电压作为基准电压而决定。将对所决定的基准电压加上规定的值而得到的电压作为推荐动作电压而决定。

主权项

一种基准电压决定方法，其特征在于，是决定用于决定施加于光电二极管阵列的反偏电压的推荐动作电压的基准电压的基准电压决定方法，所述光电二极管阵列具备：以盖格模式动作的多个雪崩光电二极管；及相对于各个所述雪崩光电二极管串联连接的降压电阻，使施加于所述光电二极管阵列的反偏电压变化而测定电流，并将所测定的电流的变化中的拐点处的反偏电压作为所述基准电压而决定。