发明名称 | 平面外间隔件限定的电极 | ||
摘要 | 在一个实施例中,一种形成平面外电极的方法包括:在装置层的上表面之上提供压氧化物层;在所述氧化物层的上表面之上提供第一覆盖层部分;蚀刻第一电极周边限定沟槽,其延伸穿过第一覆盖层部分,并在所述氧化物层处终止;在第一电极周边限定沟槽内沉积第一材料部分;在第一材料部分之上沉积第二覆盖层部分;将所述氧化物层的一部分气相释放掉;在第二覆盖层部分之上沉积第三覆盖层部分;蚀刻第二电极周边限定沟槽,其延伸穿过第二覆盖层部分和第三覆盖层部分;和在第二电极周边限定沟槽内沉积第二材料部分,使得包括第一材料部分和第二材料部分的间隔件限定出平面外电极。 | ||
申请公布号 | CN103648967A | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
申请号 | CN201280026051.0 | 申请日期 | 2012.04.13 |
申请人 | 罗伯特·博世有限公司 | 发明人 | A·B·格雷厄姆;G·亚马;G·奥布莱恩 |
分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 周家新;蔡胜利 |
主权项 | 一种形成平面外电极的方法,包括:在装置层的上表面之上提供氧化物层;在所述氧化物层的上表面之上提供第一覆盖层部分;蚀刻第一电极周边限定沟槽,其延伸穿过第一覆盖层部分,并在所述氧化物层处终止;在第一电极周边限定沟槽内沉积第一材料部分;在已沉积的第一材料部分之上沉积第二覆盖层部分;将所述氧化物层的一部分气相释放掉;在第二覆盖层部分之上沉积第三覆盖层部分;蚀刻第二电极周边限定沟槽,其延伸穿过第二覆盖层部分和第三覆盖层部分;和在第二电极周边限定沟槽内沉积第二材料部分,使得包括第一材料部分和第二材料部分的间隔件限定出平面外电极的周边。 | ||
地址 | 德国斯图加特 |