基于核壳结构的热电器件制备方法

摘要

一种基于核壳结构的热电器件制备方法，包括：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层，形成纳米线结构；在纳米线结构上淀积一层包裹材料层，形成核壳结构并填充第二绝缘材料层；去除核壳结构一侧周围的第二绝缘材料层，形成基片；淀积一层第三绝缘材料层，并淀积一层第一金属材料层，刻蚀部分第一金属材料层，保留的第一金属材料层在核壳结构上的为上电极，在衬底上的为下电极；淀积一层第四绝缘材料层及第二金属材料层，采用光刻和剥离的方法，使第二金属材料层形成蛇形电阻；在第四绝缘材料层上开孔，暴露出第一金属材料层；在暴露出的第一金属材料层和第二金属材料层上淀积一层第三金属材料层，该第三金属材料层为加厚电极，完成制备。

主权项

一种基于核壳结构的热电器件制备方法，包括：步骤1：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层，作为形成纳米线的硬掩膜；步骤2：采用光刻和刻蚀的方法，形成纳米线结构；步骤3：去除纳米线结构上的第一绝缘材料层，在纳米线结构上淀积一层包裹材料层，形成核壳结构；步骤4：在衬底上和核壳结构的周围填充第二绝缘材料层，以支撑核壳结构；步骤5：利用光刻和刻蚀的方法，去除核壳结构一侧周围的第二绝缘材料层，形成基片；步骤6：在基片上淀积一层第三绝缘材料层，并在第三绝缘材料层上开孔，露出核壳结构的尖端，及部分衬底；步骤7：在开了孔的基片上淀积一层第一金属材料层，刻蚀部分第一金属材料层，使其暴露出部分第三绝缘材料层，保留的第一金属材料层在核壳结构上的为上电极，在衬底上的为下电极；步骤8：在具有上下电极的基片上淀积一层第四绝缘材料层及第二金属材料层，采用光刻和剥离的方法，使第二金属材料层形成蛇形电阻；步骤9：在第四绝缘材料层上开孔，暴露出第一金属材料层；步骤10：在暴露出的第一金属材料层和第二金属材料层上淀积一层第三金属材料层，该第三金属材料层为加厚电极，完成制备。