发明名称 |
分割溅镀靶及其制造方法 |
摘要 |
本发明的分割溅镀靶及其制造方法,其提供如下技术:在将多个靶构件接合而得到的分割溅镀靶中,可通过溅镀而有效地防止支承板(backing plate)的构成材料混入成膜的薄膜中。本发明涉及一种分割溅镀靶,为在支承板上,将多个靶构件通过低熔点焊料接合而形成的分割溅镀靶,其特征为沿着接合的靶构件间所形成的间隙,在支承板上设置保护体。 |
申请公布号 |
CN102712997B |
申请公布日期 |
2014.03.19 |
申请号 |
CN201180005295.6 |
申请日期 |
2011.07.13 |
申请人 |
三井金属矿业株式会社 |
发明人 |
久保田高史;渡边广幸 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 11314 |
代理人 |
程伟;王锦阳 |
主权项 |
一种分割溅镀靶,为在支承板上将多个氧化物半导体靶构件通过低熔点焊料接合而形成者,其特征在于,沿着接合的氧化物半导体靶构件间所形成的间隙,在支承板上设置保护体;保护体包含带状的第1保护构件与带状的第2保护构件,而第2保护构件配置于支承板侧,且该第2保护构件上积层有第1保护构件;第1保护构件是包含氧化物或是氮化物的陶瓷材料所形成;第2保护构件为由Cu、Al、Ti、Ni、Zn、Cr、Fe中任一者的单一金属或是含有这些金属中任一者的合金所成的金属箔。 |
地址 |
日本东京 |