| 发明名称 | 发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体发光元件，其特征在于，在光提取层具有由具有不同折射率的两个系统（结构体）构成的周期结构，即所述两个系统（结构体）的界面满足布拉格散射的条件，且具有光子带隙的光子晶体周期结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103650176A | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
| 申请号 | CN201280034634.8 | 申请日期 | 2012.05.25 |
| 申请人 | 丸文株式会社;东芝机械株式会社;独立行政法人理化学研究所;株式会社爱发科 | 发明人 | 鹿岛行雄;松浦惠里子;西原浩巳;田代贵晴;大川贵史;平山秀树;藤川纱千惠;尹成圆;高木秀树;上村隆一郎;长田大和 |
| 分类号 | H01L33/22(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人 | 周靖;郑霞 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件，其特征在于，在光提取层具有光子晶体周期结构，所述光子晶体周期结构由具有不同折射率的两个系统（结构体）构成，且具有光子带隙，其中所述两个系统（结构体）的界面满足布拉格散射的条件。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||