发明名称 |
一种对大尺寸氟化钙晶体进行退火的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种对大尺寸氟化钙晶体进行退火的方法,所述方法包括以下步骤:将所需退火的氟化钙晶体放入坩埚中,用氟化钙碎晶原料掩埋覆盖,同时避免晶体与坩埚和空气直接接触;放入真空退火炉中,进行真空退火或气氛退火;所述退火工艺是先以20~50℃/h的升温速率升温至900~1100℃,然后恒温20~60小时,再以小于20℃/h的降温速率降至室温。采用本发明退火方法,可完全消除晶体内残余热应力,有利于提高大尺寸氟化钙晶体的光学性能。 |
申请公布号 |
CN103643301A |
申请公布日期 |
2014.03.19 |
申请号 |
CN201310706517.8 |
申请日期 |
2013.12.20 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
姜大朋;苏良碧;王静雅;钱小波;唐飞;吴峰;徐军 |
分类号 |
C30B33/02(2006.01)I;C30B29/12(2006.01)I |
主分类号 |
C30B33/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 |
代理人 |
何葆芳 |
主权项 |
一种对大尺寸氟化钙晶体进行退火的方法,其特征在于,包括如下步骤:a)将所需退火的氟化钙晶体放入坩埚中,用氟化钙碎晶原料掩埋覆盖,同时避免晶体与坩埚和空气直接接触;b)放入真空退火炉中,进行真空退火或气氛退火;所述退火工艺是先以20~50℃/h的升温速率升温至900~1100℃,然后恒温20~60小时,再以小于20℃/h的降温速率降至室温。 |
地址 |
200050 上海市长宁区定西路1295号 |