等离子体处理装置以及等离子体处理方法

摘要

本发明提供一种在感应耦合型的等离子体工艺中，使用简单的校正线圈自如且精细地控制等离子体密度分布的等离子体处理装置。该感应耦合型等离子体处理装置在接近RF天线54的电介质窗52的下面，呈多纳圈状生成感应耦合的等离子体，使该多纳圈状的等离子体在宽阔的处理空间内分散，然后，在基座12附近(即，半导体晶片W上)使等离子体的密度变得平均。使基座12附近的等离子体密度分布在径向上变得均一，并且通过校正线圈70对RF天线54所产生的RF磁场进行电磁场的校正，同时，根据腔10内的压力，利用天线线圈间隔控制部72改变校正线圈70的高度位置。

主权项

一种等离子体处理装置，其特征在于，它包括：在顶面具有电介质窗的处理容器；被配置在所述电介质窗的上面的线圈状的RF天线；在所述处理容器内保持被处理基板的基板保持部；为了对所述基板实施所需的等离子体处理，向所述处理容器内供给所需的处理气体的处理气体供给部；为了在所述处理容器内通过感应耦合生成处理气体的等离子体，向所述RF天线供给适合处理气体的高频放电的高频电力的高频供电部；为了控制所述处理容器内的所述基板上的等离子体密度分布，在通过电磁感应能够与所述RF天线耦合的位置，被配置在所述处理容器的外面的校正线圈；和在将所述校正线圈保持与所述RF天线平行的同时，对所述RF天线和所述校正线圈之间的距离间隔进行可变控制的天线线圈间隔控制部，所述校正线圈未与用于生成等离子体的所述高频供电部电连接，所述校正线圈配置在通过电磁感应与所述RF天线耦合的高度位置，所述校正线圈局部地控制所述处理容器内的等离子体密度分布。