| 发明名称 | 一种光刻机曝光方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种光刻机曝光方法，包括：步骤101、将硅片传送至硅片载片台；步骤102、开启真空设备使得硅片载片台吸住硅片；步骤103、进行对准，对所述硅片上的芯片进行分批次曝光，其中，在进行每批次曝光时在曝光路径上以间隔的方式对芯片进行曝光。本发明提供的方法，确保了高温的芯片能够冷却而不会将形变传递给邻近的芯片，能够获得更佳的工艺套准进度，并且能够在光刻机连续工作的过程中实现高度的硅片与硅片、批次与批次之间的均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN102411266B | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
| 申请号 | CN201110391163.3 | 申请日期 | 2011.11.30 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 朱骏;陈力钧 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F7/22(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;张志杰 |
| 主权项 | 一种光刻机曝光方法，包括：步骤101、将硅片传送至硅片载片台；步骤102、开启真空设备使得硅片载片台吸住硅片；步骤103、进行对准，对所述硅片上的芯片进行分批次曝光，其中，在进行每批次曝光时在曝光路径上以间隔的方式对芯片进行曝光；其中，所述步骤101包括在光刻机连续工作的过程中，当具有第一温度的所述硅片被传送至具有第二温度的所述硅片载片台之后，将所述硅片在所述硅片载片台上静置预设时间，使得所述硅片与所述硅片载片台之间的温度相同；在所述步骤101中将所述硅片在所述硅片载片台上静置预设时间的过程中，未开启所述真空设备。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||