| 发明名称 | 一种减少电荷残留的背照式图像传感器结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种减少电荷残留的背照式图像传感器及其制造方法。所述图像传感器至少包括置于半导体基体中的光电二极管、与所述光电二极管连接的电荷传输晶体管、与所述电荷传输晶体管连接的漂浮有源区、填充在相邻像素的光电二极管之间的浅槽隔离区，其中，所述电荷传输晶体管中预定长度的栅极多晶硅置于所述浅槽隔离区内。通过采用本发明公开的图像传感器及其制造方法，可以提高光电二极管内电荷的转移速度，进而解决电荷残留问题。 | ||
| 申请公布号 | CN103646955A | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
| 申请号 | CN201310700061.4 | 申请日期 | 2013.12.18 |
| 申请人 | 北京思比科微电子技术股份有限公司 | 发明人 | 郭同辉;陈杰;刘志碧;唐冕;旷章曲 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人 | 郑立明;赵镇勇 |
| 主权项 | 一种减少电荷残留的背照式图像传感器，至少包括置于半导体基体中的光电二极管、与所述光电二极管连接的电荷传输晶体管、与所述电荷传输晶体管连接的漂浮有源区、填充在相邻像素间的光电二极管之间的浅槽隔离区，其特征在于，所述电荷传输晶体管中预定长度的栅极多晶硅置于所述浅槽隔离区内。 | ||
| 地址 | 100085 北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室 | ||