发明名称 |
一种具有气敏重构效应的微纳气体传感器及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种具有气敏重构效应的微纳气体传感器及其制备方法。首先采用碱法、干法或干法和酸法相结合的刻蚀工艺制备具有微米级整齐阵列结构的微结构硅,然后在其表面沉积有机小分子纳米敏感薄膜或有机/无机复合纳米敏感薄膜,再在纳米敏感薄膜上制备叉指电极,得到电阻型气体传感器。通过将具有微米级整齐阵列结构的微结构硅与纳米敏感薄膜有机结合,从材料和结构两方面增强了气体分子在传感器件上的吸附效应,充分发挥微结构硅与纳米敏感材料的气敏重构效应,提高了传感器的灵敏度和选择性。采用MEMS技术制作微结构硅器件,使其具有体积小、成本低、制作简单、易于与IC工艺集成等优点,为传感器的研究及应用开创了一条新的途径。 |
申请公布号 |
CN103641061A |
申请公布日期 |
2014.03.19 |
申请号 |
CN201310641730.5 |
申请日期 |
2013.12.03 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
太惠玲;刘春华;何应飞;徐晓颖;蒋亚东 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;G01N27/04(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 |
代理人 |
徐丰;杨保刚 |
主权项 |
一种具有气敏重构效应的微纳气体传感器,其特征在于:包括基底,基底为具有微米级整齐阵列结构的微结构硅,微结构硅表面沉积纳米敏感薄膜,纳米敏感薄膜为有机小分子纳米敏感薄膜或有机/无机复合纳米敏感薄膜,纳米敏感薄膜上设置叉指电极。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |