| 发明名称 | 一种低量程高灵敏度MEMS压力传感器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低量程高灵敏度MEMS压力传感器，包括：背面具有凹腔的单晶硅层(1)；形成于该单晶硅层(1)背面凹腔中的多孔硅/硅复合膜结构(6)；形成于该单晶硅层(1)正面的多孔硅压敏电阻(7)；以及在该多孔硅压敏电阻(7)上淀积的作为金属互联的金属层(8)。本发明同时公开了一种制作低量程高灵敏度MEMS压力传感器的方法。由于多孔硅材料具有优越的压阻性能和机械性能，采用此结构的多孔硅MEMS压力传感器可以在保持线性度的同时提高灵敏度，同时通过灵活的结构设计可以实现在超低压力范围的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN103644999A | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
| 申请号 | CN201310706910.7 | 申请日期 | 2013.12.19 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 赵永梅;季安;张明亮;杨香;宁瑾;王晓东;杨富华 |
| 分类号 | G01L9/02(2006.01)I;G01L1/20(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | G01L9/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种低量程高灵敏度MEMS压力传感器，其特征在于，包括：背面具有凹腔的单晶硅层(1)；形成于该单晶硅层(1)背面凹腔中的多孔硅/硅复合膜结构(6)；形成于该单晶硅层(1)正面的多孔硅压敏电阻(7)；以及在该多孔硅压敏电阻(7)上淀积的作为金属互联的金属层(8)。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||