背发射极对称异质结太阳电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种背发射极对称异质结太阳电池及其制备方法，该太阳电池在硅衬底的受光面和背光面上具有彼此隔离并且交替分布的相反导电类型半导体薄膜，形成异质结背发射极的半导体薄膜与受光面上相同导电类型的半导体薄膜在硅衬底两侧对应设置，并且形成异质结背发射极的半导体薄膜的掺杂浓度大于受光面上相同导电类型的半导体薄膜的掺杂浓度。本发明的有益效果是：消除了电极遮光产生的电流损失。共面交替对称异质结结构在衬底内部形成的非均匀内建势，将电池衬底分成多区域基区，有助于内部载流子的侧向输送，大幅度减小了载流子扩散长度，提升了载流子的收集效率。

主权项

一种背发射极对称异质结太阳电池，其特征是：包括硅衬底（1），在硅衬底（1）的受光面上具有彼此隔离并且交替分布的相反导电类型半导体薄膜，在硅衬底（1）的背光面上具有彼此隔离并且交替分布的相反导电类型的半导体薄膜，背光面上与硅衬底（1）导电类型相反的半导体薄膜与硅衬底（1）形成异质结背发射极，在背光面上的相反导电类型的半导体薄膜上制作各自的金属电极（8），分别收集电子和空穴，形成异质结背发射极的半导体薄膜与受光面上相同导电类型的半导体薄膜在硅衬底（1）两侧对应设置，并且形成异质结背发射极的半导体薄膜的掺杂浓度大于受光面上相同导电类型的半导体薄膜的掺杂浓度。