发明名称 半导体集成电路
摘要 在半导体集成电路(10)中,将由第一IO单元区域(12a)的IO单元(11)输出的信号变换为具有第二电压的振幅的信号并输出的电平移动电路(15),被配置为与第一IO单元区域(12a)一起夹着第二IO单元区域(12b),并且设置了利用由电平移动电路(15)输出的具有第二电压的振幅的信号进行动作的内部电路(13)。在第一IO单元区域(12a)的IO单元(11)与电平移动电路(15)之间,按照通过第二IO单元区域(12b)的IO单元(11)上方或IO单元(11)内部的方式,配置将由第一IO单元区域(12a)的IO单元(11)输出的信号输入到电平移动电路(15)的信号配线(14a)。
申请公布号 CN102272917B 申请公布日期 2014.03.19
申请号 CN201080003951.4 申请日期 2010.11.29
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 袛园雅弘
分类号 H01L21/82(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I 主分类号 H01L21/82(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汪惠民
主权项 一种半导体集成电路,其特征在于,具有第一IO单元区域和第二IO单元区域,在各IO单元区域中形成了一个以上的执行具有第一电压的振幅的信号的输入输出的IO单元,所述半导体集成电路具备:电平移动电路,按照与所述第一IO单元区域一起夹着所述第二IO单元区域的方式配置,将由所述第一IO单元区域的IO单元输出的信号变换为具有第二电压的振幅的信号之后输出;以及内部电路,使用由所述电平移动电路输出的具有第二电压的振幅的信号来进行动作,其中,在所述第一IO单元区域的IO单元与电平移动电路之间,按照通过所述第二IO单元区域的IO单元上方或者IO单元内部的方式,配置将由所述第一IO单元区域的IO单元输出的信号输入到所述电平移动电路的信号配线。
地址 日本大阪府