一种改善应变层界面缺陷的方法

摘要

本发明提供了一种改善应变层界面缺陷的方法，应用于一半导体器件的制备工艺中，该半导体器件包括一衬底，所述衬底形成有源区和漏区，位于源区和漏区之间位于所述衬底之上形成有栅极，所述栅极还形成侧壁及侧墙结构；采用等离子刻蚀工艺刻蚀去除位于衬底内源区和漏区的部分；进行湿法清洗，并进行腔体腐蚀、覆膜和烘烤工艺；继续进行干法刻蚀工艺去除刻蚀源/漏区界面的杂质，最后在源区和漏区生长一硅锗层。本发明通过增加一干法刻蚀工艺，可更好的对衬底与源漏区交界的刻蚀表面存在的杂质进行清理，同时还可改善刻蚀表面的平整度，在后续制备应硅锗时不会在界面产生晶格损伤，提高器件良率及产品性能。

主权项

一种改善应变层界面缺陷的方法，应用于一半导体器件的制备工艺中，该半导体器件包括一衬底，所述衬底形成有源区和漏区，位于源区和漏区之间位于所述衬底之上形成有栅极，所述栅极还形成侧壁及侧墙结构，其特征在于，包括以下步骤：采用第一刻蚀工艺刻蚀去除位于衬底内源区和漏区的部分；然后进行清洗，并进行腔体腐蚀、覆膜和一烘烤工艺；继续进行第二刻蚀工艺去除刻蚀源/漏区界面的杂质，最后在源区和漏区生长一应变层。