一种基于电容结构的HEMT栅泄漏电流分离结构与方法

摘要

本发明公开了一种基于电容结构的HEMT栅泄漏电流分离结构与方法，结构包括具有不同面积的两个环形肖特基栅电容；每个电容为两端结构，包含一个栅电极和一个欧姆电极；第一个电容的栅电极半径为R1；第二个电容的肖特基栅为环形，栅的外环半径为R1，内环半径为0.707R1；两个肖特基电容的栅极-欧姆电极之间的距离相同，均为（R2-R1）。方法：使用常规的半导体参数测试设备进行测量，通过分别对两个电容进行一次电学测试，就可以实现HEMT器件栅泄漏电流中体泄漏电流与表面泄漏电流的定量分离。本发明具有结构和方法简单、结果可靠的特点，能广泛应用于HEMT器件的材料生长与器件工艺优化及后续的可靠性评估等工作中。

主权项

一种基于电容结构的HEMT栅泄漏电流分离结构，其特征在于，包括具有不同面积的两个环形肖特基栅电容：第一个肖特基电容和第二个肖特基电容；每个电容为两端结构，包含一个栅电极和一个欧姆电极；第一个肖特基电容，半径为R1；第二个肖特基电容，其肖特基栅为中间部分没有淀积栅金属的环形，栅的外环半径为R1，内环半径为0.707R1；两个肖特基电容的栅极‑欧姆电极之间的距离相同，均为（R2‑R1）。