声音传感器及其制造方法

摘要

本发明提供一种声音传感器，不使梁部的强度及隔膜的支承强度降低，而能够加长梁部的未由锚件固定的部分的长度。在硅基板(32)的上面，在由多晶硅构成的第一牺牲层(48)的延伸部(48a)上经由由氧化硅膜构成的第二牺牲层(47)形成有由多晶硅构成的隔膜(33)的梁部(36a)。延伸部(48a)形成在梁部(36a)的除前端部之外的区域下。从设于硅基板(32)的背室(35)蚀刻除去延伸部(48a)，在梁部(36a)的下面的除前端部之外的区域形成空洞部(50)后，进一步蚀刻除去第二牺牲层(47)。此时，在梁部(36a)的前端部下面残留第二牺牲层(47)作为锚件(37)。

主权项

一种声音传感器的制造方法，该声音传感器具备：具有背室的半导体基板；配设于所述半导体基板的上方的振动薄膜；设于所述半导体基板的上面的锚件；从所述振动薄膜一体地延伸且通过所述锚件支承其前端部的梁部；隔开空间以覆盖所述振动薄膜及所述梁部的方式固定于所述半导体基板的上面的背板，将所述振动薄膜检测到的声音振动变换为设于所述背板的固定电极膜与所述振动薄膜之间的静电电容的变化，其特征在于，该声音传感器的制造方法具有如下的工序：即、在所述半导体基板的表面与所述振动薄膜及所述梁部的下面之间形成第一牺牲层和第二牺牲层，而且，由所述第二牺牲层覆盖所述振动薄膜及所述梁部的上面，在由所述第一牺牲层及第二牺牲层构成的牺牲层内设置所述振动薄膜及所述梁部；在所述牺牲层上形成所述背板；在所述半导体基板形成所述背室；通过蚀刻除去所述第一牺牲层；在蚀刻除去所述第一牺牲层之后，通过蚀刻除去所述第二牺牲层的一部分，并利用残留的第二牺牲层在所述梁部的前端部下面与所述半导体基板的表面之间形成所述锚件，在从垂直于所述半导体基板的表面的方向观察时，所述第一牺牲层形成在所述梁部的除前端部下面且至少在所述梁部的前端部以外的区域。