有具逐渐成形构造的嵌入应变引发材料的晶体管

摘要

在晶体管中，通过提供随后填入应变引发半导体合金(例如，硅/锗、硅/碳及其类似物)的逐渐成形空腔，可安置极接近沟道区的应变引发半导体合金。为此目的，可使用两个或更多有不同蚀刻性能的“用完即弃型”间隔组件以便定义对应空腔在不同的深度有不同的横向偏移。结果，即使对于精密半导体装置，仍可实现增强的均匀性，从而减少晶体管变异性。

主权项

一种制造集成电路的方法，其包含下列步骤：在结晶半导体区中形成第一多个凹处，该第一多个凹处通过形成于栅极电极结构的侧壁上的间隔体而与该栅极电极结构有偏移，该第一多个凹处延伸至第一深度；在减少该间隔体的宽度后进行蚀刻制程以增加该第一多个凹处的该第一深度以及形成有小于该第一深度的第二深度的第二多个凹处，其中该第二多个凹处与该栅极电极结构的偏移小于该第一多个凹处的偏移。