可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器

摘要

可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器，本发明提供了一种气体传感器，包括：衬底；加热电极，形成在所述衬底上；信号检测电极，形成在所述衬底上，与所述加热电极共面；气体敏感探测薄膜，形成在所述衬底、所述加热电极以及所述信号检测电极上；其特征在于，所述气体敏感探测薄膜包括非晶态氧化物半导体。依照本发明的气体传感器，由于采用了非晶态半导体作为气体敏感探测薄膜，使得气体传感器可以采用半导体标准制造工艺，降低了成本，提高了器件的均匀性、响应速度，降低了工作温度和功耗，因此可以高效低成本大面积地集成。

主权项

一种气体传感器，包括：衬底；加热电极，形成在所述衬底上；信号检测电极，形成在所述衬底上，与所述加热电极共面；气体敏感探测薄膜，形成在所述衬底、所述加热电极以及所述信号检测电极上；其特征在于，所述气体敏感探测薄膜包括非晶态氧化物半导体，所述非晶态氧化物半导体包括掺In的ZnO基半导体、In2O3、ITO，所述非晶态氧化物半导体的带隙大于等于2.0eV。