发明名称 发光二极管封装结构和发光装置
摘要 本发明提出一种发光二极管封装结构,包括衬底和固定于衬底表面的发光二极管,发光二极管的发光面上覆盖有波长转换层,发光二极管发出的光能够激发该波长转换层使其受激发射受激光;还包括覆盖在波长转换层上的透明导热片,波长转换层与该透明导热片之间存在空气隙,且空气隙的厚度小于等于100微米。在本发明的发光二极管封装结构中,由于波长转换层的上表面的热能够被透明导热片及时导走,使得该发光二极管封装结构能够承受从波长转换层的上表面入射的激发光,从而提高了发光强度。
申请公布号 CN103647011A 申请公布日期 2014.03.19
申请号 CN201310694770.6 申请日期 2013.12.18
申请人 吴震 发明人 吴震
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极管封装结构,其特征在于,包括衬底和固定于衬底表面的发光二极管,发光二极管的发光面上覆盖有波长转换层,发光二极管发出的光能够激发该波长转换层使其受激发射受激光;还包括覆盖在波长转换层上的透明导热片,所述波长转换层与该透明导热片之间存在空气隙,且空气隙的厚度小于等于100微米。
地址 571138 海南省海口市琼山区红旗镇龙发村委会