| 发明名称 | 氮化物发光二极管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一氮化物发光二极管及其制备方法，其结构至少包括：衬底、n型氮化物层、有源区、p型氮化物层。其中，所述有源区包括M对AlxIn1-x-yGayN/GaN量子阱和N对InGaN/GaN量子阱，改善了电子回流和极化效应，增加量子阱区的复合效率和界面处的二维电子气密度，提升发光二极管的光电转换效率；同时，增强了LED对静电的耐受能力，改善了LED的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103647009A | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
| 申请号 | CN201310665895.6 | 申请日期 | 2013.12.11 |
| 申请人 | 天津三安光电有限公司 | 发明人 | 陈沙沙;张东炎;刘晓峰;王良均;王笃祥 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 氮化物发光二极管，包括：n型氮化物层和p型氮化物层，及其位于两者之间的有源区，其中，所述有源区包括第一量子阱和第二量子阱，所述第一量子阱邻近所述n型氮化物层，其阱层为AlxIn1‑x‑yGayN（0＜x＜1，0＜y＜1）。 | ||
| 地址 | 300384 天津市滨海新区华苑产业区海泰南道20号 | ||