使用可物理性移除的遮罩的激光及等离子体蚀刻晶片切割

摘要

本发明描述了切割半导体晶片的方法，其中各个晶片具有数个集成电路。一种方法包括形成遮罩于该半导体晶片上方。该遮罩覆盖且保护这些集成电路。以激光刻划工艺将该遮罩予以图案化，以提供具有间隙的图案化遮罩。该图案化暴露介于这些集成电路之间的该半导体晶片的区域。然后，蚀刻该半导体晶片通过该图案化遮罩中的这些间隙，以形成单一化集成电路。然后，将该图案化遮罩从这些单一化集成电路分离。

主权项

一种切割半导体晶片的方法，所述半导体晶片包含数个集成电路，所述方法包含以下步骤：形成遮罩于所述半导体晶片上方，所述遮罩覆盖且保护这些集成电路；以激光刻划工艺将所述遮罩予以图案化，以提供具有间隙的图案化遮罩，而暴露介于这些集成电路之间的所述半导体晶片的区域；蚀刻所述半导体晶片通过所述图案化遮罩中的这些间隙，以形成单一化集成电路；及将所述图案化遮罩从这些单一化集成电路分离。