一种掩膜版

摘要

本发明公开了一种掩膜版，应用于新产品的研发工艺中，该掩膜版上具有若干掩膜单元，每个掩膜单元上均设置有若干个均匀排列的掩膜图形，任意两个掩膜单元的掩模图形尺寸或掩膜图形间距不相同。采用本发明的掩膜版，曝光时可通过截取不同的掩膜单元并拼接在一个曝光区上，然后一起曝在硅片上，从而硅片上即包括刻蚀需要的图形尺寸，其图形的透过率也可与最终的掩膜版达到一致，可使研发出来的新的刻蚀工艺能够在新产品上直接进行使用，从而提高了研发的效率，并较大的减少了研发的周期，进而节约了研发的成本。

主权项

一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版上具有若干掩膜单元，每个掩膜单元上均设置有若干个均匀排列的掩膜图形，且任意两个掩膜单元的掩模图形尺寸或掩膜图形间距不相同。