发明名称 |
一种双应力薄膜的制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种双应力薄膜的制造方法,该方法在衬底上沉积一层具有张应力的氮化硅薄膜后,对NMOS区域的氮化硅薄膜进行掩盖,然后利用惰性气体离子对PMOS区域的氮化硅薄膜进行离子注入,使得PMOS区域的氮化硅薄膜从张应力薄膜转变成压应力薄膜,随后进行退火工艺,并去除NMOS区域和PMOS区域上的氮化硅薄膜,记忆在栅极结构中的应力会传导到沟道之中,不但避免了传统的SMT工艺对PMOS器件产生负面影响的问题,而且在提高NMOS器件速度的情况下,也提高了PMOS器件的性能,且工艺简单且易实施。 |
申请公布号 |
CN103646877A |
申请公布日期 |
2014.03.19 |
申请号 |
CN201310625561.6 |
申请日期 |
2013.11.28 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
张文广 |
分类号 |
H01L21/318(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/318(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种双应力薄膜的制造方法,其特征在于,提供一具有NMOS区域和PMOS区域的衬底,所述衬底上形成有氮化硅薄膜,所述氮化硅薄膜为张应力薄膜;在所述NMOS区域的氮化硅薄膜上覆盖光阻层;采用惰性气体离子对所述PMOS区域的氮化硅薄膜进行等离子体处理,使所述PMOS区域的氮化硅薄膜转变为压应力薄膜;去除所述NMOS区域的氮化硅薄膜上的光阻层;进行退火工艺;以及去除所述NMOS区域和PMOS区域上的氮化硅薄膜。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号 |