发明名称 |
具有缩合系聚合物的形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物 |
摘要 |
本发明的课题是提供用于使用了EUV光刻的器件制作工序,降低由EUV带来的不良影响,对获得良好的抗蚀剂图案有效的EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物,以及使用该EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成法。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物,其包含具有式(1):(式中,A1、A2、A3、A4、A5和A6各自表示氢原子、甲基或乙基,X1表示式(2)、式(3)、式(4)或式(0),Q表示式(5)或式(6))所示的重复单元结构的聚合物、和溶剂。包含具有式(1)所示的重复单元结构的聚合物、交联性化合物和溶剂的形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。 |
申请公布号 |
CN103649835A |
申请公布日期 |
2014.03.19 |
申请号 |
CN201280035179.3 |
申请日期 |
2012.07.31 |
申请人 |
日产化学工业株式会社 |
发明人 |
坂本力丸;藤谷德昌;远藤贵文;大西龙慈;何邦庆 |
分类号 |
G03F7/11(2006.01)I;C08G61/12(2006.01)I;C08G73/06(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/11(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
段承恩;田欣 |
主权项 |
1.一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物,其包含:具有式(1)所示的重复单元结构的聚合物、和溶剂,<img file="FDA0000457241430000011.GIF" wi="1242" he="352" />式中,A<sub>1</sub>、A<sub>2</sub>、A<sub>3</sub>、A<sub>4</sub>、A<sub>5</sub>和A<sub>6</sub>各自表示氢原子、甲基或乙基,X<sub>1</sub>表示式(2)、式(3)、式(4)或式(0),Q表示式(5)或式(6),<img file="FDA0000457241430000012.GIF" wi="1578" he="476" />式中R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>各自表示氢原子、卤原子、碳原子数1~6的烷基、碳原子数3~6的链烯基、苄基或苯基,而且所述碳原子数1~6的烷基、碳原子数3~6的链烯基、苄基和苯基可以被选自碳原子数1~6的烷基、卤原子、碳原子数1~6的烷氧基、硝基、氰基、羟基、羧基和碳原子数1~6的烷硫基中的基团所取代,此外,R<sub>1</sub>与R<sub>2</sub>可以互相结合而形成碳原子数3~6的环,R<sub>3</sub>表示卤原子、碳原子数1~6的烷基、碳原子数3~6的链烯基、苄基或苯基,而且所述苯基可以被选自碳原子数1~6的烷基、卤原子、碳原子数1~6的烷氧基、硝基、氰基、羟基和碳原子数1~6的烷硫基中的基团所取代,<img file="FDA0000457241430000021.GIF" wi="1148" he="444" />式中Q<sub>1</sub>表示碳原子数1~10的亚烷基、亚苯基、亚萘基或亚蒽基,而且所述亚烷基、亚苯基、亚萘基和亚蒽基各自可以被碳原子数1~6的烷基、碳原子数2~7的羰氧基烷基、卤原子、碳原子数1~6的烷氧基、苯基、硝基、氰基、羟基、碳原子数1~6的烷硫基、具有二硫基的基团、羧基或它们组合而成的基团所取代,n<sub>1</sub>和n<sub>2</sub>各自表示0或1的数,X<sub>2</sub>表示式(2)、式(3)或式(0)。 |
地址 |
日本东京都 |