结合基板及制造方法、固体摄像装置及制造方法、照相机

摘要

本文公开了结合基板及制造方法、固体摄像装置及制造方法、照相机。所述结合基板制造方法包括如下步骤：在半导体基板一侧表面上形成第一结合层；在支撑基板一侧表面上形成第二结合层；使所述第一结合层与所述第二结合层相互粘结；进行使所述第一结合层与所述第二结合层相互结合的热处理；并且从所述半导体基板另一侧表面对所述半导体基板进行减薄，由此形成半导体层。在该制造方法中，在所述第一结合层形成步骤和所述第二结合层形成步骤至少一者中，在所述第一结合层和所述第二结合层至少一者的表面上形成含有碳化硅或碳氮化硅的层。本发明使得通过在低温下进行结合处理时也能够制造出结合基板，并能够获得高结合强度。

主权项

一种结合基板制造方法，其包括如下步骤：在半导体基板一侧表面上形成第一结合层；在支撑基板一侧表面上形成第二结合层；将羟基引入至所述第一结合层的表面中和所述第二结合层的表面中；使所述第一结合层与所述第二结合层相互粘结；进行使所述第一结合层与所述第二结合层相互结合的热处理，其中通过脱水缩合来使所述第一结合层与所述第二结合层相互结合；并且从所述半导体基板另一侧表面对所述半导体基板进行减薄，由此形成半导体层，其中，在所述第一结合层形成步骤和所述第二结合层形成步骤至少一者中，在所述第一结合层和所述第二结合层至少一者的表面上形成含有碳化硅或碳氮化硅的层。