发明名称 |
一种防辐射薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种防辐射薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:A、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在玻璃基板上磁控溅射TiO2层;B、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶,在TiO2层上磁控溅射AZO层;C、直流电源溅射银平面靶,在AZO层上磁控溅射Ag层;D、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶,在Ag层上磁控溅射AZO层;E、直流电源溅射银平面靶,在AZO层上磁控溅射Ag层;F、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶,在Ag层上磁控溅射AZO层;G、交流电源溅射ZnSn合金旋转靶,在AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种工艺简单,操作方便,生产成本相对较低的防辐射薄膜的制备方法。 |
申请公布号 |
CN103641331A |
申请公布日期 |
2014.03.19 |
申请号 |
CN201310549332.0 |
申请日期 |
2013.11.07 |
申请人 |
中山市创科科研技术服务有限公司 |
发明人 |
陈路玉 |
分类号 |
C03C17/36(2006.01)I |
主分类号 |
C03C17/36(2006.01)I |
代理机构 |
中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 |
代理人 |
吴剑锋 |
主权项 |
一种防辐射薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:A、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在玻璃基板上磁控溅射TiO2层;B、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶,在步骤A中TiO2层上磁控溅射AZO层;C、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射银平面靶,在步骤B中的AZO层上磁控溅射Ag层;D、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶,在步骤C中Ag层上磁控溅射AZO层;E、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射银平面靶,在步骤D中的AZO层上磁控溅射Ag层;F、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶,在步骤E中的Ag层上磁控溅射AZO层;G、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,交流电源溅射ZnSn合金旋转靶,在步骤F中的AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。 |
地址 |
528400 广东省中山市火炬开发区创业大厦229号 |