半导体发光元件

摘要

本发明涉及半导体发光元件，本发明的一个实施例提供了一种半导体发光元件，包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，其形成在与n型半导体层的顶部表面的一部分相对应的第一区域上；n型电极，其形成在n型半导体层的顶部表面的不同于第一区域的第二区域上并与n型半导体层电连接，并且具有n型焊盘以及第一和第二n型指状电极；以及p型电极，其形成在p型半导体层上并与p型半导体层电连接，并且具有p型焊盘和p型指状电极。n型半导体层、有源层、p型半导体层形成发光结构，当从发光结构的上部观看时，半导体发光元件具有n型指状电极和p型指状电极重叠以彼此交叉的区域。

主权项

一种半导体发光器件，包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，其形成在与所述n型半导体层的上表面的一部分区域相对应的第一区域中；n型电极，其形成在所述n型半导体层的上表面上不同于所述第一区域的第二区域中并与所述n型半导体层电连接，并且具有n型焊盘以及第一和第二n型指状电极；以及p型电极，其形成在所述p型半导体层上并与所述p型半导体层电连接，并且具有p型焊盘和p型指状电极，其中，所述n型半导体层、所述有源层和所述p型半导体层形成发光结构，并且形成有这样的区域，该区域中所述n型指状电极和所述p型指状电极交叉以彼此重叠。