消除炉管负载效应的半导体制造方法

摘要

本发明提供一种消除炉管负载效应的半导体制造方法，其特征在于，包括提供若干产品晶圆、虚拟晶圆、负载消除晶圆和控制晶圆；在产品晶圆上覆盖形成氧化层-氮化层-氧化层结构；在负载消除晶圆上沉积覆盖一层氮化硅；将所述产品晶圆、虚拟晶圆、负载消除晶圆和控制晶圆放置于晶舟中，所述负载消除晶圆设置于所述产品晶圆和控制晶圆之间及所述产品晶圆和虚拟晶圆之间；在所述产品晶圆上沉积形成栅氧结构。本发明所述消除炉管负载效应的半导体制造方法消除了在同一批次的栅氧工艺中控制晶圆或虚拟晶圆对产品晶圆产生的负载效应，避免不同的产品晶圆上栅氧厚度出现差异，进而降低了不同产品晶圆上形成的产品的电性偏差。

主权项

一种消除炉管负载效应的半导体制造方法，其特征在于，包括提供若干产品晶圆、虚拟晶圆、负载消除晶圆和控制晶圆；在产品晶圆上覆盖形成氧化层‑氮化层‑氧化层结构；在负载消除晶圆上沉积覆盖一层氮化硅；将所述产品晶圆、虚拟晶圆、负载消除晶圆和控制晶圆放置于晶舟中，所述负载消除晶圆设置于所述控制晶圆和与所述控制晶圆下方最临近的所述产品晶圆之间、以及设置于所述虚拟晶圆和与所述虚拟晶圆下方最临近的所述产品晶圆之间；在所述产品晶圆上沉积形成栅氧结构。