发明名称 半导体制造装置的原料气体供给装置
摘要 本发明包括:液体原料气体供给源;源储罐,其储存所述液体原料气体;气体流通路,其从所述源储罐的内部上方空间部向处理腔供给为液体原料气体蒸汽的原料气体;自动压力调整器,其间置于该气体流通路的上游侧,且将向处理腔供给的原料气体的供给压力保持为设定值;供给气体切换阀,其间置于所述气体流通路的下游侧,且对向处理腔供给的原料气体的通路进行开闭;节流孔,其设于该供给气体切换阀的入口侧和出口侧中的至少一方,且调整向处理腔供给的原料气体的流量;以及恒温加热装置,其将所述源储罐、所述气体流通路和供给气体切换阀以及节流孔加热至设定温度,在本发明中,将自动压力调整器下游侧的原料气体的供给压力控制为所期望的压力,并且向处理腔供给设定流量的原料气体。
申请公布号 CN103649367A 申请公布日期 2014.03.19
申请号 CN201280033804.0 申请日期 2012.04.25
申请人 株式会社富士金 发明人 永濑正明;日高敦志;平田薰;土肥亮介;西野功二;池田信一
分类号 C23C16/448(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I 主分类号 C23C16/448(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 肖日松;李婷
主权项 一种半导体制造装置的原料气体供给装置,其特征在于,构成为包括:液体原料气体供给源;源储罐,其储存所述液体原料气体;气体流通路,其从所述源储罐的内部上方空间部向处理腔供给为液体原料气体蒸汽的原料气体;自动压力调整器,其间置于该气体流通路的上游侧,且将向处理腔供给的原料气体的供给压力保持为设定值;供给气体切换阀,其间置于所述气体流通路的下游侧,且对向处理腔供给的原料气体的通路进行开闭;节流部,其设于该供给气体切换阀的入口侧和出口侧中的至少一方,且调整向处理腔供给的原料气体的流量;以及恒温加热装置,其将所述源储罐、所述气体流通路和供给气体切换阀以及节流部加热至设定温度,将自动压力调整器的下游侧的原料气体的供给压力控制为所期望的压力,并且向处理腔供给设定流量的原料气体。
地址 日本大阪府