一种单晶半导体基片的截面快速制作及亚表面微裂纹检测方法

摘要

本发明是一种单晶半导体基片的截面快速制作及亚表面微裂纹检测方法，包括以下步骤：将单晶半导体基片清洗干净；将单晶半导体基片沿着待检测面同一直线方向加工出一个或者多个微沟槽；在单晶半导体基片微沟槽的背面裂开施加压力，使单晶半导体基片在力的作用下沿着微沟槽方向裂成两半，完成单晶半导体基片截面的制样；将裂开的单晶半导体基片的检测截面水平放在光学显微镜下观察，移动单晶半导体基片使待检测面与检测截面的交界线出现在可视区域，调整光学显微镜镜头倍率，拍出截面上目标区域该区域的光学显微图片，测量检测截面上的裂纹到待检测面与检测截面的交界线的最大距离，完成单晶半导体基片亚表面微裂纹检测工作。本发明检测方法可行，检测结果可信。

主权项

一种单晶半导体基片的截面快速制作及亚表面微裂纹检测方法，其特征在于包括如下步骤：1）将单晶半导体基片（1）清洗干净；2）将单晶半导体基片（1）沿着待检测面（2）同一直线方向加工出一个或者多个微沟槽（3）；3）在单晶半导体基片（1）的微沟槽（3）的背面施加压力，使单晶半导体基片（1）在力的作用下沿着微沟槽（3）的方向裂成两半，完成单晶半导体基片（1）的检测截面（6）的制样；4）将裂开的单晶半导体基片（1）的检测截面（6）水平放在光学显微镜下观察，移动单晶半导体基片（1），使待检测面（2）与检测截面的交界线（8）出现在可视区域（10），调整光学显微镜镜头倍率，拍出检测截面（6）上该区域的光学显微图片，测量检测截面（6）上的裂纹（7）到待检测面（2）与检测截面（6）的交界线（8）之间的最大距离（9），完成单晶半导体基片（1）亚表面微裂纹的检测工作。