| 发明名称 | 一种提高非晶硅表面氧化层均匀性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种提高非晶硅表面氧化层均匀性的方法，包括如下步骤：a)使用氢氟酸清洗所述非晶硅；b)使用水清洗所述非晶硅；c)去除所述非晶硅表面的水膜；d)使用氧化性溶液清洗所述非晶硅；e)对所述硅片进行干燥处理；本发明所提供的提高非晶硅表面氧化层均匀性的方法，通过在水洗置换氢氟酸之后引入水膜去除步骤，使氧化性溶液能够及时、均匀地接触非晶硅进行氧化处理，在非晶硅表面生成均匀的氧化层，从而在ELA结晶时可以很好的缓冲能量，制备出均匀的高品质的多晶硅。 | ||
| 申请公布号 | CN103646871A | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
| 申请号 | CN201310578415.2 | 申请日期 | 2013.11.18 |
| 申请人 | 上海和辉光电有限公司 | 发明人 | 任东 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 刘春生;于宝庆 |
| 主权项 | 一种提高非晶硅表面氧化层均匀性的方法，包括如下步骤：a).使用氢氟酸清洗所述非晶硅；b).使用水清洗所述非晶硅；c).去除所述非晶硅表面的水膜；d).使用氧化性溶液清洗所述非晶硅；e).对所述非晶硅进行干燥处理。 | ||
| 地址 | 201500 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室 | ||