发明名称 |
一种锗烯二维原子晶体材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种锗烯二维原子晶体材料及其制备方法,锗烯二维原子晶体材料的制备方法包括:1)在真空环境下,将适量锗蒸发沉积到过渡金属铂基底上;2)对整个样品进行退火处理,以使锗原子发生相互作用,在基底表面形成二维长程有序的膜状结构,其中锗原子成六角蜂窝状周期性排布,形成一种新型的二维原子晶体材料。这种类石墨烯结构的新型材料拓展了非碳基二维蜂窝状晶体材料的研究领域,在未来信息电子学及器件开发研究方面具有广泛的应用潜力。 |
申请公布号 |
CN103643287A |
申请公布日期 |
2014.03.19 |
申请号 |
CN201310565943.4 |
申请日期 |
2013.11.14 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
王业亮;李林飞;高鸿钧 |
分类号 |
C30B23/02(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;C01G17/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B23/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 |
代理人 |
胡剑辉 |
主权项 |
一种锗烯二维原子晶体材料,其特征在于,锗原子成六角蜂窝状排布,并在二维平面内周期性扩展。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村南三街八号 |