一种制备TEM样品的方法

摘要

本发明公开了一种制备TEM样品的方法，其具体为提供一具有待检测区域和切除区域的半导体衬底，且所述待检测区域与切除区域接触；制备一完全覆盖所述待检测区域的保护层；去除位于所述切除区域中的保护层和部分半导体衬底，形成待检测结构；采用电子束对所述待检测结构的切除面进行照射后再在TEM中进行观测。本发明所述的方法在利用TEM进行常规的检测前，先利用FIB在半导体衬底中待检测区域进行处理，使区域内的待检测结构可以有效的保持，再使用电子束对样品的截面进行一定的量的照射，得到具有明显多孔结构的低介电常数材料，有助于解决在TEM观测时无法区分低介电常数材质和普通氧化硅材质的问题。

主权项

一种制备TEM样品的方法，其特征在于，包括：提供一具有待检测区域和切除区域的半导体衬底，且所述待检测区域与切除区域接触；制备一完全覆盖所述待检测区域的保护层；去除位于所述切除区域中的保护层和部分半导体衬底，形成待检测结构；采用电子束对所述待检测结构的切除面进行照射，获取样品。