一种准各向同性微波铁磁多层薄膜及其制备方法

摘要

本发明属于微波铁磁材料制备技术领域，涉及一种准各向同性微波铁磁多层薄膜及其制备方法，先制备单轴磁各向异性单元薄膜，再对单轴磁各向异性单元薄膜进行堆叠操作，利用磁性单元薄膜之间的层间耦合作用，当结构单元膜的性能一致，厚度适当时，薄膜之间的光学振动模得到有效抑制，声学模之间的作用结果使堆叠多层膜呈现出易轴可旋转性，进而表现出准各向同；其制备方法简单，电感线圈的形状不受限制，制备的薄膜为准各向同性的，无论电感线圈的形状如何均能实现100%难轴激发，为电感的设计提供极大的设计自由度，可有效扩增磁性材料的体积比，得到大比磁导率的薄膜材料。

主权项

一种准各向同性微波铁磁多层薄膜，其特征在于结构为[(UMAL)α/(NMS)β]n，其中UMAL代表单轴磁各向异性单元薄膜，NMS代表非磁性隔离层，α和β表示膜厚，n表示层数；UMAL又细分为MxDy，M为成分均匀分布的铁磁母材料靶溅射产物，D为成分梯度分布的掺杂元素靶溅射产物；x和y分别代表M和D二者的原子分数，铁磁母材料靶M为FeuCov铁钴基合金材料，其原子百分比分别所处的含量范围是u=10‑70at.%,u+v=100at.%；掺杂元素靶D是B、C、N、O小原子，或是Al2O3、MgO、ZrO2、ZnO、HfO2、SiO2、TiO2、Ta2O5、V2O5、Nd2O3或Cr2O3氧化物，或是Hf、Zr、Al、Nb、Ta、Ru、V、Mo、W或Cr金属元素，M和D的原子百分含量分别为x=80～98at.%,y=2～20at.%；隔离层NMS为金属Ru、Ta或Hf，或是氧化物Al2O3、MgO、SiO2，膜厚α和β根据UMAL和NMS材质以及具体的应用条件确定，总层数n≥3。