一种超高透高性能低辐射膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，包括：A、直流溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；B、直流溅射Nb平面靶，在Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；C、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Nb2O5层上磁控溅射AZO层；D、直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；E、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；F、直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；G、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；H、交流溅射ZnSn合金旋转靶，在AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。本发明的目的是提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的超高透高性能低辐射膜的制备方法。

主权项

一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤B中的Nb2O5层上磁控溅射AZO层；D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中AZO层上磁控溅射Ag层；E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射AZO层；F、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤E中的AZO层上磁控溅射Ag层；G、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤F中的Ag层上磁控溅射AZO层；H、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤G中的AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。