| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：源区，被布置于半导体衬底；漏区，被布置于半导体衬底；栅区，被布置到半导体衬底上，并位于源区和漏区之间。半导体器件还包括：栅氧区，被布置到半导体衬底上，与栅区接触；以及阱区，被植入到半导体衬底上并位于栅区和栅氧区下面。栅氧区具有与阱区接触的下外沿部分。该半导体器件可以是低阈值电压金属氧化物半导体。 | ||
| 申请公布号 | CN203491263U | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
| 申请号 | CN201320426298.3 | 申请日期 | 2013.07.17 |
| 申请人 | 美国博通公司 | 发明人 | 伊藤明 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 田喜庆 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，包括： 源区，被布置于半导体衬底； 漏区，被布置于所述半导体衬底； 栅区，被布置到所述半导体衬底上，并且位于所述源区和所述漏区之间； 栅氧区，被布置在所述半导体衬底上并与所述栅区接触；以及 阱区，被植入到所述半导体衬底上并位于所述栅区和所述栅氧区的下面， 其中，所述栅氧区具有与所述阱区接触的下外沿部分。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||