发明名称 高压硅堆二极管
摘要 本实用新型涉及一种二极管,具体为一种高压硅堆二极管,包括椭圆形的玻璃体,所述的玻璃体的内部设置有晶片,所述的晶片两端通过焊片分别固定有一个钼粒,所述钼粒的一端与晶片相连接,所述钼粒的另一端设置有焊片,所述的焊片固定有引线。本实用新型的高压硅堆二极管,采用多个晶粒串联,反向电压可达到1万伏以上,晶片表面镀铝,在晶片与焊片之间加设有一个钼粒,采用钼粒作为缓冲层,钼粒与晶粒的热膨胀系数接近,在温度突变时可以缓冲因热胀冷缩带来的内应力,确保晶粒不失效,极大的提高了产品的可靠性;同时晶片外面采用玻璃作为钝化层,结温可以到175度。
申请公布号 CN203491256U 申请公布日期 2014.03.19
申请号 CN201320574549.2 申请日期 2013.09.16
申请人 海湾电子(山东)有限公司 发明人 董志强
分类号 H01L25/07(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I 主分类号 H01L25/07(2006.01)I
代理机构 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人 朱广存
主权项 一种高压硅堆二极管,包括椭圆形的玻璃体,所述的玻璃体的内部设置有晶片,其特征在于:所述的晶片两端通过焊片分别固定有一个钼粒,所述钼粒的一端与晶片相连接,所述钼粒的另一端设置有焊片,所述的焊片固定有引线。
地址 250000 山东省济南市高新技术产业开发区孙村片区科远路1659号