发明名称 |
一种湿氧炉外精炼提纯工业硅熔体的方法 |
摘要 |
本发明公开一种湿氧炉外精炼提纯工业硅熔体的方法,将硅熔体倾倒入工业硅感应抬包中,利用感应方式对硅熔体进行加热与保温;将湿氧混合气体吹入工业硅熔体中进行精炼,将精炼后的硅熔体倒入结晶器中并扒除表面的氧化物和废渣,凝固后即可得到高纯的工业硅产品,本发明所述方法可使工业硅纯度达到99.9%以上,纯度高于工业硅1101牌号的标准,金属杂质Fe、Al和Ca分别低于0.08%、0.03%和0.005%,本方法对非金属杂质B、P的去除尤其有效,可使B、P含量降低至0.005%和0.01%以下。 |
申请公布号 |
CN103641120A |
申请公布日期 |
2014.03.19 |
申请号 |
CN201310626562.2 |
申请日期 |
2013.12.02 |
申请人 |
昆明理工大学 |
发明人 |
伍继君;刘凯;马文会;谢克强;魏奎先;周阳;刘大春;杨斌;戴永年 |
分类号 |
C01B33/037(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/037(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种湿氧炉外精炼提纯工业硅熔体的方法,其特征在于包括如下步骤:(1)将电炉中纯度98.5%以上的工业硅熔体倒入感应抬包中,控制温度在1450~1700℃;(2)将含有水蒸气的工业氧吹入步骤(1)中得到的工业硅熔体进行精炼,水蒸气体积含量为2~20%,同时充分搅拌,精炼4~8h后停止吹气,完成精炼过程;(3)将精炼后的硅熔体倒入结晶器中,扒除表面的氧化物和渣层,待凝固后即可得到高纯的工业硅产品。 |
地址 |
650093 云南省昆明市五华区学府路253号 |