发明名称 一种湿氧炉外精炼提纯工业硅熔体的方法
摘要 本发明公开一种湿氧炉外精炼提纯工业硅熔体的方法,将硅熔体倾倒入工业硅感应抬包中,利用感应方式对硅熔体进行加热与保温;将湿氧混合气体吹入工业硅熔体中进行精炼,将精炼后的硅熔体倒入结晶器中并扒除表面的氧化物和废渣,凝固后即可得到高纯的工业硅产品,本发明所述方法可使工业硅纯度达到99.9%以上,纯度高于工业硅1101牌号的标准,金属杂质Fe、Al和Ca分别低于0.08%、0.03%和0.005%,本方法对非金属杂质B、P的去除尤其有效,可使B、P含量降低至0.005%和0.01%以下。
申请公布号 CN103641120A 申请公布日期 2014.03.19
申请号 CN201310626562.2 申请日期 2013.12.02
申请人 昆明理工大学 发明人 伍继君;刘凯;马文会;谢克强;魏奎先;周阳;刘大春;杨斌;戴永年
分类号 C01B33/037(2006.01)I 主分类号 C01B33/037(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种湿氧炉外精炼提纯工业硅熔体的方法,其特征在于包括如下步骤:(1)将电炉中纯度98.5%以上的工业硅熔体倒入感应抬包中,控制温度在1450~1700℃;(2)将含有水蒸气的工业氧吹入步骤(1)中得到的工业硅熔体进行精炼,水蒸气体积含量为2~20%,同时充分搅拌,精炼4~8h后停止吹气,完成精炼过程;(3)将精炼后的硅熔体倒入结晶器中,扒除表面的氧化物和渣层,待凝固后即可得到高纯的工业硅产品。
地址 650093 云南省昆明市五华区学府路253号