| 发明名称 | 两端子多通道ESD器件及其方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及两端子多通道ESD器件及其方法。在一个实施方式中该方法包括：形成上覆于半导体基底的第一半导体层；形成多个二极管，且使每个二极管的至少一部分在所述第一半导体层内；形成延伸通过所述第一半导体层的多个第一阻挡结构，其中所述多个第一阻挡结构的分开的阻挡结构围绕所述多个二极管中的每个二极管的周界，以禁止电流在所述多个二极管之间横向流过所述第一半导体层；以及形成从所述第一半导体层内延伸到所述半导体基底中的导体。 | ||
| 申请公布号 | CN103646948A | 申请公布日期 | 2014.03.19 |
| 申请号 | CN201310544859.4 | 申请日期 | 2009.09.07 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | A·萨利赫;刘明焦;T·肯纳 |
| 分类号 | H01L27/082(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/082(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 一种形成ESD器件的方法，包括：形成上覆于半导体基底的第一半导体层；形成多个二极管，且使每个二极管的至少一部分在所述第一半导体层内；形成延伸通过所述第一半导体层的多个第一阻挡结构，其中所述多个第一阻挡结构的分开的阻挡结构围绕所述多个二极管中的每个二极管的周界，以禁止电流在所述多个二极管之间横向流过所述第一半导体层；以及形成从所述第一半导体层内延伸到所述半导体基底中的导体。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||