发明名称 |
晶圆缺陷检测方法 |
摘要 |
本发明涉及一种晶圆缺陷检测方法,包括如下步骤:逐次移动晶圆,对晶圆各芯片区以第一扫描分辨率进行第一次缺陷检测;根据第一次缺陷检测获得的缺陷分布信息将晶圆表面划分为多个检测区,并为每个检测区分别设定一缺陷数量阈值,缺陷数量阈值与对应的检测区的缺陷数量成正相关关系;逐次移动晶圆,以第二扫描分辨率分别对各检测区进行第二次缺陷检测;其中,第二扫描分辨率低于第一扫描分辨率;若任一检测区缺陷数量超出其对应的缺陷数量阈值,则对该晶圆进行缺陷修复工艺。其提高了晶圆缺陷检测方法在实际工艺中的适用性,显著提高了缺陷识别率以及工艺效率,其精度高、实现成本低、利于在行业领域内推广。 |
申请公布号 |
CN103646893A |
申请公布日期 |
2014.03.19 |
申请号 |
CN201310630277.8 |
申请日期 |
2013.11.29 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
倪棋梁;范荣伟;陈宏璘;龙吟 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;陶金龙 |
主权项 |
一种晶圆缺陷检测方法,包括如下步骤:a)、逐次移动晶圆,对晶圆各芯片区以第一扫描分辨率进行第一次缺陷检测;b)、根据所述第一次缺陷检测获得的缺陷分布信息将所述晶圆表面划分为多个检测区,并为每个所述检测区分别设定一缺陷数量阈值,所述缺陷数量阈值与对应的所述检测区的缺陷数量成正相关关系;c)、逐次移动所述晶圆,以第二扫描分辨率分别对各检测区进行第二次缺陷检测;其中,所述第二扫描分辨率低于所述第一扫描分辨率;d)、若任一所述检测区缺陷数量超出其对应的缺陷数量阈值,则对该晶圆进行缺陷修复工艺。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |